Ziel der Veranstaltung: Einführung in die physikalischen Wirkprinzipien elementarer passiver und aktiver HF-Halbleiterbauelemente sowie deren schaltungstechnische Anwendung. In einer 14-tägigen praktischen Übung ergänzende Einführung in die Schaltungssimulation mit dem Programmsystem Agilent ADS.
- Einführung: Bedeutung und Zielsetzung, Übersicht über Bauelemente und jüngere Entwicklungen
- Schaltungen der HMT: Beschreibung von Zweitoren durch S-Parameter
- Transistoren: Bipolare Transistoren, Feldeffekt-Transistoren, Transistor-Schaltungen
- Varaktoren: PN- und MIS-Dioden, Abstimmelemente, parametrische Verstärker, Frequenzvervielfacher und –umsetzer.
- Varistoren: Schottky-Dioden, PIN-Dioden, Schalter, Modulator, Phasenschieber, Dämpfungsglied, Mischer, Impulsgenerator, Frequenzvervielfacher
- Aktive Zweitorbauelemente: Tunneldioden, Lawinen-Laufzeit (IMPATT) Dioden, Elektronentransfer (Gunn) – Elemente, Verstärker (Eintorschaltungen), Zweipol-Oszillatoren
- Mikro-Elektromechanische Systeme (MEMS): Aufbau, Eigenschaften, Anwendungsbereiche
- Vakuumelektronische Bauelemente (Röhren): Dichtegesteuerte Elektronenröhren, Klystrons, Wanderfeldröhre, Magnetron, Karzinotron, Lauffeldröhren
- Schaltungssimulation mit ADS: Lineare Modellierung im Frequenzbereich, Schaltungsoptimierung, nichtlineare Analyse (Harmonic Balance), Transientanalyse, Momentenmethode.
- Teacher: Matthias Hein
- Teacher: Michael Huhn
- Teacher: Uwe Stehr
- Teacher: Anja Zwetkow-Schilling